2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 34 mΩ, 6.5 A 40 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
165-6282
Codice costruttore:
SI4909DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

6.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SOIC

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

34mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41.5nC

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

3.2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Altezza

1.55mm

Larghezza

4 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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