MOSFET Vishay, canale P, 34 mΩ, 6,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-6282
Codice costruttore:: SI4909DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 34 mΩ, 6,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

0,412 €

(IVA esclusa)

0,503 €

(IVA inclusa)

5260 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,412 €	1.030,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-6282
Codice costruttore:: SI4909DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si4909DY, Dual P-Channel 40V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	6,5 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	34 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	3,2 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4mm
Carica gate tipica @ Vgs	41,5 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Lunghezza	5mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.55mm

MOSFET Vishay, canale P, 34 mΩ, 6,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor

Link consigliati