2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 34 mΩ, 6.5 A 40 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 165-6282
- Codice costruttore:
- SI4909DY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,422 € | 1.055,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 165-6282
- Codice costruttore:
- SI4909DY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 34mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.2W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 41.5nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4mm | |
| Altezza | 1.55mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 34mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.2W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 41.5nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4mm | ||
Altezza 1.55mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
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