2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 34 mΩ, 6.5 A 40 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
818-1302
Codice costruttore:
SI4909DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

6.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SOIC

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

34mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

3.2W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

150°C

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.55mm

Larghezza

4 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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