2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 34 mΩ, 6.5 A 40 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
818-1302
Codice costruttore:
SI4909DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

6.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

34mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

3.2W

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.55mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4mm

Lunghezza

5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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