MOSFET Vishay, canale P, 34 mΩ, 6,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 818-1302
Codice costruttore:: SI4909DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 34 mΩ, 6,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 818-1302
Codice costruttore:: SI4909DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si4909DY, Dual P-Channel 40V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	6,5 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	34 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	3,2 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4mm
Carica gate tipica @ Vgs	41,5 nC a 10 V
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Altezza	1.55mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale P, 34 mΩ, 6,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor

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