2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 34 mΩ, 6.5 A 40 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 20 unità*

13,86 €

(IVA esclusa)

16,90 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 4940 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
20 - 800,693 €13,86 €
100 - 1800,589 €11,78 €
200 - 4800,499 €9,98 €
500 - 9800,464 €9,28 €
1000 +0,444 €8,88 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
818-1302
Codice costruttore:
SI4909DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

6.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

34mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41.5nC

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

3.2W

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Altezza

1.55mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati