MOSFET Vishay, canale N, P, 72 mΩ, 150 mΩ, 3,9 A, 5,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 710-3345
Codice costruttore:: SI4559ADY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, P, 72 mΩ, 150 mΩ, 3,9 A, 5,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

30 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

15 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Prezzo per 1pz in confezione da 5

0,52 €

(IVA esclusa)

0,63 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Pack*
5 +	0,52 €	2,60 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 710-3345
Codice costruttore:: SI4559ADY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Codice RS:: 710-3345
Codice costruttore:: SI4559ADY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	3,9 A, 5,3 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	72 mΩ, 150 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	3,1 W, 3,4 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	13 nC a 30 V, 14,5 nC a 30 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	4mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	3,9 A, 5,3 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	72 mΩ, 150 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	3,1 W, 3,4 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	13 nC a 30 V, 14,5 nC a 30 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	4mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, P, 72 mΩ, 150 mΩ, 3,9 A, 5,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

MOSFET doppio a canale N/P, Vishay Semiconductor

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