2 MOSFET Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 72 mΩ, 5.3 A 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1170,00 €

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Codice RS:
919-0297
Codice costruttore:
SI4559ADY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

72mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

3.4W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Altezza

1.5mm

Larghezza

4 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N/P, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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