2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo P, Tipo N, 0.58 Ω, 5.3 A 60 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin SI4559ADY-T1-E3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-8097
Codice costruttore:
SI4559ADY-T1-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.58Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

3.4W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Larghezza

4 mm

Altezza

1.75mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21

Lunghezza

5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET Vishay a doppio canale a montaggio superficiale (sia a canale P che N) è un prodotto di nuova generazione con una resistenza drain-source di 58mohm a una tensione gate-source di 10V. È dotato di una tensione drain-source di 60V. Ha correnti di drain continue di 5,3 a e 3,9 A. Ha una potenza nominale massima di 3,4 W. È stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità. È applicabile negli inverter CCFL.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg testato

• UIS testato

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