MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.058 Ω Miglioramento, 5.3 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SI4900DY-T1-E3

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Codice RS:
180-8002
Codice costruttore:
SI4900DY-T1-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

5.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.058Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

3.1W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

4.8mm

Altezza

1.35mm

Larghezza

4 mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a doppio canale N TrenchFET serie SI4900DY Vishay Siliconix è dotato di tensione drain-source di 60 V. Viene utilizzato in TV LCD e inverter CCFL.

Senza piombo

Senza alogeni

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