MOSFET Vishay, canale N 60 V, 22 mΩ Miglioramento, 6.2 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SI7850DP-T1-E3

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Codice RS:
919-0830
Codice costruttore:
SI7850DP-T1-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

Si7850DP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.89mm

Lunghezza

4.9mm

Altezza

1.04mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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