MOSFET Vishay, canale N, 22 mΩ, 6,2 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 919-0830
Codice costruttore:: SI7850DP-T1-E3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 22 mΩ, 6,2 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,834 €

(IVA esclusa)

1,017 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,834 €	2.502,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 919-0830
Codice costruttore:: SI7850DP-T1-E3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	6,2 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	PowerPAK SO-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	22 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	18 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	4.9mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	5.89mm
Altezza	1.04mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 22 mΩ, 6,2 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor

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