MOSFET Vishay, canale N 80 V, 22 mΩ Miglioramento, 9.5 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SI4896DY-T1-E3
- Codice RS:
- 180-7296
- Codice costruttore:
- SI4896DY-T1-E3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 180-7296
- Codice costruttore:
- SI4896DY-T1-E3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 22mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 34nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.56W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Larghezza | 6.2mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 22mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 34nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.56W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.75mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
Larghezza 6.2mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay
Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 80V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 16,5 Mohm a una tensione gate-source di 10V. È dotato di dissipazione di potenza di 1,56 W e corrente di drain continua di 6,7 A. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo MOSFET è 6V e 10V rispettivamente. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• Senza alogeni
• senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •
Applications
• interruttore adattatore
• interruttori di carico
Certificazioni
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
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