MOSFET Vishay, canale N, 0,022 O, 9,5 A, SO-8, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 180-7961
- Codice costruttore:
- SI4896DY-T1-E3
- Costruttore:
- Vishay
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Prezzo per 1pz in confezione da 5
1,74 €
(IVA esclusa)
2,12 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,74 € | 8,70 € |
| 50 - 120 | 1,48 € | 7,40 € |
| 125 - 245 | 1,288 € | 6,44 € |
| 250 - 495 | 1,062 € | 5,31 € |
| 500 + | 1,02 € | 5,10 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-7961
- Codice costruttore:
- SI4896DY-T1-E3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
MOSFET Vishay
Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 80V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 16,5 Mohm a una tensione gate-source di 10V. È dotato di dissipazione di potenza di 1,56 W e corrente di drain continua di 6,7 A. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo MOSFET è 6V e 10V rispettivamente. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• Senza alogeni
• senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •
• senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •
Applications
• interruttore adattatore
• interruttori di carico
• interruttori di carico
Certificazioni
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 9,5 A |
| Tensione massima drain source | 80 V |
| Serie | TrenchFET |
| Tipo di package | SO-8 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 8 |
| Resistenza massima drain source | 0,022 O |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 2V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
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