MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 22 mΩ Miglioramento, 9.5 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SI4896DY-T1-E3

Codice RS:: 180-7961
Codice costruttore:: SI4896DY-T1-E3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 22 mΩ Miglioramento, 9.5 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SI4896DY-T1-E3

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

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Codice RS:: 180-7961
Codice costruttore:: SI4896DY-T1-E3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	9.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	80V
	Serie	TrenchFET
	Tipo di package	SO-8
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	22mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	34nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.56W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	5mm
	Altezza	1.75mm
	Larghezza	6.2mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 9.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V
	Serie TrenchFET
	Tipo di package SO-8
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 22mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 34nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.56W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 5mm
	Altezza 1.75mm
	Larghezza 6.2mm
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 80V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 16,5 Mohm a una tensione gate-source di 10V. È dotato di dissipazione di potenza di 1,56 W e corrente di drain continua di 6,7 A. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo MOSFET è 6V e 10V rispettivamente. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications

• interruttore adattatore

• interruttori di carico

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21