MOSFET Vishay, canale Tipo N, 0.085 Ω, 4.8 A 150 V, PowerPAK SO-8, Superficie, 8 Pin SI7898DP-T1-E3

Codice RS:: 180-7862
Codice costruttore:: SI7898DP-T1-E3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N, 0.085 Ω, 4.8 A 150 V, PowerPAK SO-8, Superficie, 8 Pin SI7898DP-T1-E3

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Codice RS:: 180-7862
Codice costruttore:: SI7898DP-T1-E3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	4.8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	150V
	Tipo di package	PowerPAK SO-8
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.085Ω
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	±20 V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	21nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	5W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	6.25mm
	Standard/Approvazioni	IEC 61249-2-21
	Larghezza	5.26 mm
	Altezza	1.12mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 4.8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V
	Tipo di package PowerPAK SO-8
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.085Ω
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 21nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 5W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 6.25mm
	Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21
	Larghezza 5.26 mm
	Altezza 1.12mm
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET PowerPAK-SO-8 a canale N per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 150V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 85mohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 5W e una corrente di drain continua di 4,8 A. Ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 6V e 10V rispettivamente. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• Senza alogeni

• componente senza piombo (Pb)

• nuovo contenitore PowerPAK a bassa resistenza termica con dimensioni ridotte e basso profilo di 1,07 mm

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

• PWM ottimizzato

MOSFET di potenza TrenchFET da • per una commutazione rapida

Applications

• interruttori lato primario alimentazione CC/CC

• azionamenti per motori industriali

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testato