IGBT Vishay, canale Tipo P, PowerPAK SO-8, 8 Pin Superficie

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Codice RS:
180-7319
Codice Distrelec:
303-97-242
Codice costruttore:
SI7489DP-T1-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

IGBT

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

Tipo P

Numero pin

8

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

50 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.12mm

Lunghezza

6.25mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21

Classificazione energetica

61mJ

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET SO-8 a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 100V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 41mohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 83W e corrente di drain continua di 28A. Ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4,5 V e 10V rispettivamente. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

• nuovo contenitore PowerPAK a bassa resistenza termica con profilo basso di 1,07 mm

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

• PWM ottimizzato

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications


• azionamenti per motori half-bridge

Convertitori buck non sincroni ad alta tensione •

• interruttori di carico

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

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