MOSFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 0.01 mΩ Miglioramento, 65.7 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1038,00 €

(IVA esclusa)

1266,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 3000 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,346 €1.038,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
252-0270
Codice costruttore:
SIR1309DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

65.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.01mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.15mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

La linea di prodotti MOSFET Vishay Siliconix include una vasta gamma di tecnologie avanzate. I MOSFET sono dispositivi a transistor controllati da un condensatore. Effetto di campo significa che sono controllati dalla tensione. Il substrato dei MOSFET a canale P contiene elettroni e lacune di elettroni. I MOSFET a canale P sono collegati a una tensione positiva. Questi MOSFET si accendono quando la tensione fornita al terminale di gate è inferiore alla tensione di source.

MOSFET di potenza a canale P TrenchFET Gen IV

Testato al 100% Rg

Link consigliati