MOSFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 0.01 mΩ Miglioramento, 65.7 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SIR1309DP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
252-0271
Codice costruttore:
SIR1309DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

65.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.01mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.15mm

Larghezza

5.15 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

La linea di prodotti MOSFET Vishay Siliconix include una vasta gamma di tecnologie avanzate. I MOSFET sono dispositivi a transistor controllati da un condensatore. Effetto di campo significa che sono controllati dalla tensione. Il substrato dei MOSFET a canale P contiene elettroni e lacune di elettroni. I MOSFET a canale P sono collegati a una tensione positiva. Questi MOSFET si accendono quando la tensione fornita al terminale di gate è inferiore alla tensione di source.

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