MOSFET Vishay, canale Tipo N 20 V, 0.0095 Ω, 30 A, PowerPAK SO-8, Superficie SIR424DP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
256-7423
Codice costruttore:
SIR424DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0095Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il mosfet iTime a canale N di Vishay Semiconductor è privo di alogeni secondo la definizione IEC 61249-2-21 e le sue applicazioni sono convertitori buck, POL, c.c., c.c.

MOSFET di potenza TrenchFET

Testato al 100% Rg

Testato al 100% UIS

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