MOSFET Vishay, canale Tipo N 20 V, 0.0095 Ω, 30 A, PowerPAK SO-8, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1068,00 €

(IVA esclusa)

1302,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 08 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,356 €1.068,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
256-7422
Codice costruttore:
SIR424DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0095Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il mosfet iTime a canale N di Vishay Semiconductor è privo di alogeni secondo la definizione IEC 61249-2-21 e le sue applicazioni sono convertitori buck, POL, c.c., c.c.

MOSFET di potenza TrenchFET

Testato al 100% Rg

Testato al 100% UIS

Link consigliati