MOSFET Vishay, canale N 30 V, 0.0095 Ω, 25 A, PowerPAK SO-8, Superficie SIRA12DP-T1-GE3

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Codice RS:
256-7430
Codice costruttore:
SIRA12DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0095Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

L'iTime a canale N Vishay Semiconductor 30 V 25 A (Tc) 4,5 W (Ta), 31 W (Tc) per montaggio superficiale è privo di alogeni in conformità alla definizione IEC 61249-2-21 e le sue applicazioni sono c.c., c.c., rettifica sincrona, VRM e c.c., c.c. integrati ad alta densità di potenza.

MOSFET di potenza TrenchFET gen IV

Testato al 100% Rg e UIS

Conforme alla direttiva RoHS 2002/95/CE

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