- Codice RS:
- 256-7426
- Codice costruttore:
- SIRA04DP-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)
0,474 €
(IVA esclusa)
0,578 €
(IVA inclusa)
Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 24/10/2024.
Unità | Per unità | Per bobina* |
---|---|---|
3000 + | 0,474 € | 1.422,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 256-7426
- Codice costruttore:
- SIRA04DP-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il transmosfet N-CH 30 V 35,9 A 8 pin powerPAK SO T, R di Vishay Semiconductor. Le sue applicazioni sono la rettifica sincrona, c.c., c.c. e VRM ad alta densità di potenza e c.c., c.c. integrati.
MOSFET di potenza TrenchFET
Testato al 100% Rg e UIS
Basso Qg per un'elevata efficienza
Testato al 100% Rg e UIS
Basso Qg per un'elevata efficienza
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 40 A |
Tensione massima drain source | 30 V |
Tipo di package | PowerPAK SO-8 |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Link consigliati
- MOSFET Vishay, canale N, 40 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay, canale N, 8,8 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay, canale N, 49,3 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay, canale N, 36,2 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay, canale N, 51 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay, canale N, 33 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay, canale N, 32 mΩ, 30 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio...
- MOSFET Vishay, canale N, 10 mΩ, 45,5 A, PowerPAK SO-8, Montaggio...