MOSFET Vishay, canale N 80 V, 0.0095 Ω, 60 A, PowerPAK SO-8L, Superficie SIJ482DP-T1-GE3
- Codice RS:
- 256-7418
- Codice costruttore:
- SIJ482DP-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 256-7418
- Codice costruttore:
- SIJ482DP-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 60A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | PowerPAK SO-8L | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0095Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 60A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package PowerPAK SO-8L | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0095Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il mosfet a canale N Vishay Semiconductor 80 V (D-S) 60 A (Tc) 5 W (Ta), 69,4 W (Tc) per montaggio superficiale e le sue applicazioni sono c.c., interruttore laterale primario c.c., rettifica sincrona, commutazione ad alta corrente.
MOSFET di potenza TrenchFET
Testato al 100% Rg e UIS
In grado di funzionare con l'azionamento del gate da 5 V
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