MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 0.0095 Ω, 60 A, PowerPAK SO-8L, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

2550,00 €

(IVA esclusa)

3120,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 3000 unità in spedizione dal 30 dicembre 2025
  • Più 3000 unità in spedizione dal 13 marzo 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,85 €2.550,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
256-7418
Codice costruttore:
SIJ482DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerPAK SO-8L

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0095Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il mosfet a canale N Vishay Semiconductor 80 V (D-S) 60 A (Tc) 5 W (Ta), 69,4 W (Tc) per montaggio superficiale e le sue applicazioni sono c.c., interruttore laterale primario c.c., rettifica sincrona, commutazione ad alta corrente.

MOSFET di potenza TrenchFET

Testato al 100% Rg e UIS

In grado di funzionare con l'azionamento del gate da 5 V

Link consigliati