MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0095 Ω, 60 A, PowerPAK SO-8, Superficie SIRA10DP-T1-GE3
- Codice RS:
- 256-7429
- Codice costruttore:
- SIRA10DP-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 256-7429
- Codice costruttore:
- SIRA10DP-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 60A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | PowerPAK SO-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0095Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 60A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package PowerPAK SO-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0095Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transmosfet N-CH 30 V 35,9 A 8 pin powerPAK SO T, R di Vishay Semiconductor. Le sue applicazioni sono la rettifica sincrona, c.c., c.c. e VRM ad alta densità di potenza e c.c., c.c. integrati.
MOSFET di potenza TrenchFET
Testato al 100% Rg e UIS
Basso Qg per un'elevata efficienza
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