MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0095 Ω, 33 A, PowerPAK SO-8, Superficie SIRA18DP-T1-GE3

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

13,025 €

(IVA esclusa)

15,90 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 3000 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
25 - 250,521 €13,03 €
50 - 750,51 €12,75 €
100 - 2250,389 €9,73 €
250 - 9750,381 €9,53 €
1000 +0,237 €5,93 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
256-7433
Codice costruttore:
SIRA18DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0095Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Le applicazioni del modulo a canale N Vishay Semiconductor includono c.c., conversione c.c., protezione della batteria, commutazione del carico e inverter c.c., c.a.

MOSFET di potenza TrenchFET gen IV

Testato al 100% Rg e UIS

Basso Qg per un'elevata efficienza

Link consigliati