MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0095 Ω, 25 A, PowerPAK SO-8, Superficie SIRA12DP-T1-GE3
- Codice RS:
- 256-7431
- Codice costruttore:
- SIRA12DP-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 256-7431
- Codice costruttore:
- SIRA12DP-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 25A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | PowerPAK SO-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0095Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 25A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package PowerPAK SO-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0095Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
L'iTime a canale N Vishay Semiconductor 30 V 25 A (Tc) 4,5 W (Ta), 31 W (Tc) per montaggio superficiale è privo di alogeni in conformità alla definizione IEC 61249-2-21 e le sue applicazioni sono c.c., c.c., rettifica sincrona, VRM e c.c., c.c. integrati ad alta densità di potenza.
MOSFET di potenza TrenchFET gen IV
Testato al 100% Rg e UIS
Conforme alla direttiva RoHS 2002/95/CE
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