MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0095 Ω, 40 A, PowerPAK SO-8, Superficie SIRA04DP-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

7,48 €

(IVA esclusa)

9,125 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 1870 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 451,496 €7,48 €
50 - 951,408 €7,04 €
100 - 2451,09 €5,45 €
250 - 9951,066 €5,33 €
1000 +0,768 €3,84 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
256-7427
Codice costruttore:
SIRA04DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0095Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transmosfet N-CH 30 V 35,9 A 8 pin powerPAK SO T, R di Vishay Semiconductor. Le sue applicazioni sono la rettifica sincrona, c.c., c.c. e VRM ad alta densità di potenza e c.c., c.c. integrati.

MOSFET di potenza TrenchFET

Testato al 100% Rg e UIS

Basso Qg per un'elevata efficienza

Link consigliati