MOSFET Vishay, canale N 30 V, 0.0095 Ω, 40 A, PowerPAK SO-8, Superficie SIRA04DP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
256-7427
Codice costruttore:
SIRA04DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0095Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transmosfet N-CH 30 V 35,9 A 8 pin powerPAK SO T, R di Vishay Semiconductor. Le sue applicazioni sono la rettifica sincrona, c.c., c.c. e VRM ad alta densità di potenza e c.c., c.c. integrati.

MOSFET di potenza TrenchFET

Testato al 100% Rg e UIS

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