MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 0.0095 Ω, 24.7 A, PowerPAK SO-8, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

2205,00 €

(IVA esclusa)

2691,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 3000 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,735 €2.205,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
256-7420
Codice costruttore:
SIR120DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

24.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0095Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il mosfet a canale N 80 V (D-S) Vishay Semiconductor ha un valore di merito (FOM) RDS molto basso x Qg. Le sue applicazioni sono la rettifica sincrona, l'interruttore laterale primario, c.c., i convertitori c.c., gli alimentatori, il controllo dell'azionamento del motore, la batteria e l'interruttore di carico.

MOSFET di potenza TrenchFET gen IV

RDS molto basso x valore di merito Qg (FOM)

Sintonizzazione per la più bassa RDS x Qoss FOM

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati