MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0095 Ω, 60 A, PowerPAK SO-8, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

927,00 €

(IVA esclusa)

1131,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 14 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,309 €927,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
256-7428
Codice costruttore:
SIRA10DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0095Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transmosfet N-CH 30 V 35,9 A 8 pin powerPAK SO T, R di Vishay Semiconductor. Le sue applicazioni sono la rettifica sincrona, c.c., c.c. e VRM ad alta densità di potenza e c.c., c.c. integrati.

MOSFET di potenza TrenchFET

Testato al 100% Rg e UIS

Basso Qg per un'elevata efficienza

Link consigliati