MOSFET Vishay, canale N 100 V, 0.0095 Ω, 7.5 A, PowerPAK SO-8, Superficie SIR698DP-T1-GE3

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Codice RS:
256-7424
Codice costruttore:
SIR698DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

7.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0095Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il powerPAK SO-8 a canale N per montaggio superficiale Vishay Semiconductor è privo di alogeni in conformità alla definizione IEC 61249-2-21.

MOSFET di potenza TrenchFET

Testato al 100% Rg e UIS

Basso Qg per un'elevata efficienza

Conforme alla direttiva RoHS 2002/95/CE

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