MOSFET Vishay, canale P, 9,5 mΩ, 18 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-6295
Codice costruttore:: SI7149ADP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 9,5 mΩ, 18 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,307 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,307 €	921,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-6295
Codice costruttore:: SI7149ADP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si7149ADP, P-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	18 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	PowerPAK SO-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	9,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	48 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Larghezza	5mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	5.99mm
Carica gate tipica @ Vgs	90 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.07mm

MOSFET Vishay, canale P, 9,5 mΩ, 18 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor

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