MOSFET Vishay, canale P, 9,5 mΩ, 18 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-6295
Codice costruttore:: SI7149ADP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 9,5 mΩ, 18 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,313 €

(IVA esclusa)

0,382 €

(IVA inclusa)

Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,313 €	939,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-6295
Codice costruttore:: SI7149ADP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si7149ADP, P-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	18 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	PowerPAK SO-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	9,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	48 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Larghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	90 nC a 10 V
Lunghezza	5.99mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.07mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale P, 9,5 mΩ, 18 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor

Link consigliati