MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.00702 Ω Miglioramento, 64 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiRA18BDP-T1-GE3

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Codice RS:
735-114
Codice costruttore:
SiRA18BDP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

64A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00702Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Dissipazione di potenza massima Pd

36W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.25mm

Larghezza

5.3mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW
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