MOSFET Vishay, canale P, 9,5 mΩ, 18 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 818-1393
Codice costruttore:: SI7149ADP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 9,5 mΩ, 18 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1pz in confezione da 20**

0,623 €

(IVA esclusa)

0,76 €

(IVA inclusa)

Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per confezione**
20 - 180	0,623 €	12,46 €
200 - 480	0,592 €	11,84 €
500 - 980	0,498 €	9,96 €
1000 - 1980	0,468 €	9,36 €
2000 +	0,436 €	8,72 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 818-1393
Codice costruttore:: SI7149ADP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si7149ADP, P-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	18 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	PowerPAK SO-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	9,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	48 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	5.99mm
Carica gate tipica @ Vgs	90 nC a 10 V
Larghezza	5mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.07mm

MOSFET Vishay, canale P, 9,5 mΩ, 18 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor

Link consigliati