MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 0.0052 Ω Miglioramento, 50 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SI7149ADP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
818-1393
Codice costruttore:
SI7149ADP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0052Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43.1nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-25V, +25V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.74V

Dissipazione di potenza massima Pd

48W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

Lead (Pb)-Free

Larghezza

5mm

Lunghezza

5.99mm

Altezza

1.07mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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