MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo P, 00090 Ω, 40 A 30 V, PowerPAK SO-8, Superficie, 8 Pin SI7139DP-T1-GE3
- Codice RS:
- 180-7890
- Codice costruttore:
- SI7139DP-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
6,31 €
(IVA esclusa)
7,70 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Ultimi pezzi su RS
- 3700 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,631 € | 6,31 € |
| 100 - 240 | 0,624 € | 6,24 € |
| 250 - 490 | 0,616 € | 6,16 € |
| 500 - 990 | 0,608 € | 6,08 € |
| 1000 + | 0,601 € | 6,01 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-7890
- Codice costruttore:
- SI7139DP-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 40A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 00090Ω | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 48W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 49.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 6.25mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 1.12mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 40A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package PowerPAK SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 00090Ω | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 48W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 49.5nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 6.25mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 1.12mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay
Il MOSFET Vishay è un contenitore PowerPAK-SO-8 a canale P di nuova generazione con una tensione drain-source di 30V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di una resistenza drain-source di 5,5 Mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 48W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• componente senza alogeni e piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •
Applications
• interruttori adattatori
• interruttori batteria
• interruttori di carico
• Computer notebook
Certificazioni
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg testato
• UIS testato
Link consigliati
- MOSFET Vishay Singolo 00090 Ω PowerPAK SO-8 8 Pin
- MOSFET Vishay 0.024 Ω 8 Pin Superficie SI7489DP-T1-GE3
- MOSFET Vishay 0.01 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie SIR1309DP-T1-GE3
- MOSFET Vishay 0.0052 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie SI7149ADP-T1-GE3
- MOSFET Vishay 0.024 Ω 8 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 0.0095 Ω PowerPAK SO-8, Superficie SIR424DP-T1-GE3
- MOSFET Vishay 0.0095 Ω PowerPAK SO-8, Superficie SIRA04DP-T1-GE3
- MOSFET Vishay 0.0095 Ω PowerPAK SO-8, Superficie SIRA12DP-T1-GE3