MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo P, 00090 Ω, 40 A 30 V, PowerPAK SO-8, Superficie, 8 Pin SI7139DP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7890
Codice costruttore:
SI7139DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

00090Ω

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

49.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

48W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Singolo

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

6.25mm

Larghezza

5.26mm

Altezza

1.12mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET Vishay è un contenitore PowerPAK-SO-8 a canale P di nuova generazione con una tensione drain-source di 30V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di una resistenza drain-source di 5,5 Mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 48W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• componente senza alogeni e piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications


• interruttori adattatori

• interruttori batteria

• interruttori di carico

• Computer notebook

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testato

• UIS testato

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