MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo P, 00090 Ω, 40 A 30 V, PowerPAK SO-8, Superficie, 8 Pin

Codice RS:: 180-7310
Codice costruttore:: SI7139DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo P, 00090 Ω, 40 A 30 V, PowerPAK SO-8, Superficie, 8 Pin

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Codice RS:: 180-7310
Codice costruttore:: SI7139DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	PowerPAK SO-8
	Serie	TrenchFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	00090Ω
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	48W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	49.5nC
	Configurazione transistor	Singolo
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	6.25mm
	Larghezza	5.26 mm
	Altezza	1.12mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package PowerPAK SO-8
	Serie TrenchFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 00090Ω
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 48W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 49.5nC
	Configurazione transistor Singolo
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 6.25mm
	Larghezza 5.26 mm
	Altezza 1.12mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET Vishay è un contenitore PowerPAK-SO-8 a canale P di nuova generazione con una tensione drain-source di 30V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di una resistenza drain-source di 5,5 Mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 48W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• componente senza alogeni e piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications

• interruttori adattatori

• interruttori batteria

• interruttori di carico

• Computer notebook

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testato

• UIS testato