MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0105 Ω Miglioramento, 40 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 735-115
Codice costruttore:: SIRA14BDP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0105 Ω Miglioramento, 40 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

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Codice costruttore:: SIRA14BDP-T1-GE3
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Specifiche

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	PowerPAK SO-8
	Serie	TrenchFET
	Tipo montaggio	Montaggio superficiale
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.0105Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	12.2nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	17W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	5.3mm
	Standard/Approvazioni	RoHS Compliant
	Altezza	1.1mm
	Lunghezza	6.25mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package PowerPAK SO-8
	Serie TrenchFET
	Tipo montaggio Montaggio superficiale
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0105Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12.2nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 17W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 5.3mm
	Standard/Approvazioni RoHS Compliant
	Altezza 1.1mm
	Lunghezza 6.25mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIRA14BDP-T1-GE3

Paese di origine:: TW

Il MOSFET a canale N Vishay è progettato per una commutazione di potenza efficiente e affidabile nell'elettronica di potenza ad alte prestazioni. È completamente testato Rg e UIS per garantire la robustezza in condizioni di stress elettrico e condizioni operative difficili. Ottimizzato per basse perdite e commutazione rapida, supporta progetti compatti ad alta densità di potenza, soddisfacendo al contempo requisiti conformi alla direttiva RoHS e senza alogeni.

Offre test Rg e UIS al 100% per una comprovata affidabilità del dispositivo

Supporta applicazioni con convertitori CC/CC ad alta densità di potenza

Consente prestazioni di rettifica sincrona efficienti

Conforme agli standard RoHS e ai requisiti senza alogeni

MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0105 Ω Miglioramento, 40 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

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