MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.005 Ω Miglioramento, 60 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 735-112
- Codice costruttore:
- SiRA10BDP-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 735-112
- Codice costruttore:
- SiRA10BDP-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 60A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo di package | PowerPAK SO-8 | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.005Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 43W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 24.1nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 5.3mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Lunghezza | 6.25mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 60A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo di package PowerPAK SO-8 | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.005Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 43W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 24.1nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 5.3mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Altezza 1.1mm | ||
Lunghezza 6.25mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TW
Il MOSFET a canale N Vishay è progettato per una commutazione di potenza efficiente e affidabile nell'elettronica di potenza ad alte prestazioni. È completamente testato Rg e UIS per garantire la robustezza in condizioni di stress elettrico e condizioni operative difficili. Ottimizzato per basse perdite e commutazione rapida, supporta progetti compatti ad alta densità di potenza, soddisfacendo al contempo requisiti conformi alla direttiva RoHS e senza alogeni.
Offre test Rg e UIS al 100% per una comprovata affidabilità del dispositivo
Supporta applicazioni con convertitori CC/CC ad alta densità di potenza
Consente prestazioni di rettifica sincrona efficienti
Conforme agli standard RoHS e ai requisiti senza alogeni
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