MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.031 Ω Miglioramento, 27.8 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie

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Codice RS:
165-7065
Codice costruttore:
SI7456DDP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

27.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

Si7456DDP

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.031Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

35.7W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

Lead (Pb)-Free

Lunghezza

6.25mm

Altezza

1.12mm

Larghezza

5.26 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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