MOSFET Vishay, canale N 100 V, 0.031 Ω Miglioramento, 27.8 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SI7456DDP-T1-GE3

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Codice RS:
165-7065
Codice costruttore:
SI7456DDP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

27.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

Si7456DDP

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.031Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

35.7W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.26mm

Altezza

1.12mm

Standard/Approvazioni

Lead (Pb)-Free

Lunghezza

6.25mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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