MOSFET Vishay, canale N, 31 mΩ, 28 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-7065
Codice costruttore:: SI7456DDP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 31 mΩ, 28 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,788 €

(IVA esclusa)

0,961 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,788 €	2.364,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-7065
Codice costruttore:: SI7456DDP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si7456DDP, N-Channel 100V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	28 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	PowerPAK SO-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	31 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	35,7 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.26mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	19,6 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	6.25mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.12mm

MOSFET Vishay, canale N, 31 mΩ, 28 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor

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