MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.00625 Ω Miglioramento, 60 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-9529
Codice costruttore:
SI7164DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

Si7164DP

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00625Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

49.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.25mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

5.26 mm

Altezza

1.12mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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