IGBT Vishay SI7489DP-T1-E3, canale Tipo P, PowerPAK SO-8, 8 Pin Superficie

Codice RS:: 180-7802
Codice costruttore:: SI7489DP-T1-E3
Costruttore:: Vishay

IGBT Vishay SI7489DP-T1-E3, canale Tipo P, PowerPAK SO-8, 8 Pin Superficie

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Codice RS:: 180-7802
Codice costruttore:: SI7489DP-T1-E3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	IGBT
	Dissipazione di potenza massima Pd	83W
	Tipo di package	PowerPAK SO-8
	Tipo montaggio	Superficie
	Tipo di canale	Tipo P
	Numero pin	8
	Tensione emettitore gate massima VGEO	50 V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	IEC 61249-2-21
	Altezza	1.12mm
	Lunghezza	6.25mm
	Standard automobilistico	No
	Classificazione energetica	61mJ

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto IGBT
	Dissipazione di potenza massima Pd 83W
	Tipo di package PowerPAK SO-8
	Tipo montaggio Superficie
	Tipo di canale Tipo P
	Numero pin 8
	Tensione emettitore gate massima VGEO 50 V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21
	Altezza 1.12mm
	Lunghezza 6.25mm
	Standard automobilistico No
	Classificazione energetica 61mJ

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET SO-8 a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 100V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 41mohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 83W e corrente di drain continua di 28A. Ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4,5 V e 10V rispettivamente. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• Senza alogeni

• nuovo contenitore PowerPAK a bassa resistenza termica con profilo basso di 1,07 mm

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

• PWM ottimizzato

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications

• azionamenti per motori half-bridge

Convertitori buck non sincroni ad alta tensione •

• interruttori di carico

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21