MOSFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 0.115 Ω Miglioramento, 8 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8, Superficie SI7309DN-T1-E3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-3386
Codice costruttore:
SI7309DN-T1-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Serie

Si7309DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.115Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.5nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-65°C

Dissipazione di potenza massima Pd

19.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.05mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21

Larghezza

3.05 mm

Altezza

1.04mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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