MOSFET Vishay, canale Tipo P 20 V, 0.0044 Ω Miglioramento, 35 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8, Superficie SI7615ADN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-9248
Codice costruttore:
SI7615ADN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

35A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

Si7615ADN

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0044Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±12 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

59nC

Tensione diretta Vf

-1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

Lead (Pb)-Free

Lunghezza

3.4mm

Altezza

1.12mm

Larghezza

3.4 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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