MOSFET Vishay, canale Tipo P 20 V, 0.0044 Ω Miglioramento, 35 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8, Superficie
- Codice RS:
- 165-6973
- Codice costruttore:
- SI7615ADN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
708,00 €
(IVA esclusa)
864,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- 3000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,236 € | 708,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 165-6973
- Codice costruttore:
- SI7615ADN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 35A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Serie | Si7615ADN | |
| Tipo di package | PowerPAK 1212-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0044Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 59nC | |
| Tensione diretta Vf | -1.1V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±12 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 52W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.12mm | |
| Lunghezza | 3.4mm | |
| Larghezza | 3.4 mm | |
| Standard/Approvazioni | Lead (Pb)-Free | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 35A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Serie Si7615ADN | ||
Tipo di package PowerPAK 1212-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0044Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 59nC | ||
Tensione diretta Vf -1.1V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±12 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 52W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.12mm | ||
Lunghezza 3.4mm | ||
Larghezza 3.4 mm | ||
Standard/Approvazioni Lead (Pb)-Free | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Link consigliati
- MOSFET Vishay 0.0044 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie SI7615ADN-T1-GE3
- MOSFET Vishay 0.0095 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 13 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 0.0095 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie SIS415DNT-T1-GE3
- MOSFET Vishay 13 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie SiSH101DN-T1-GE3
- MOSFET Vishay 0.0117 Ω PowerPAK 1212-8 8 Pin
- MOSFET Vishay 0.0117 Ω PowerPAK 1212-8 8 Pin SIS443DN-T1-GE3
- MOSFET Vishay 0.065 Ω PowerPAK 1212-8 8 Pin
