MOSFET Vishay, canale N, 0.025 Ω, 8.7 A 60 V, PowerPAK 1212-8, Superficie, 8 Pin SI7414DN-T1-E3
- Codice RS:
- 180-7745
- Codice costruttore:
- SI7414DN-T1-E3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 180-7745
- Codice costruttore:
- SI7414DN-T1-E3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | PowerPAK 1212-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.025Ω | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.8W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 25nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.12mm | |
| Lunghezza | 3.61mm | |
| Standard/Approvazioni | IEC 61249-2-21 | |
| Larghezza | 3.61mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package PowerPAK 1212-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.025Ω | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.8W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.12mm | ||
Lunghezza 3.61mm | ||
Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21 | ||
Larghezza 3.61mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay
Il MOSFET PowerPAK-1212-8 a canale N per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 25mohms a una tensione gate-source di 10V. È dotato di una dissipazione di potenza massima di 1,5 W e corrente di drain continua di 5,6 A. Ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4,5 V e 10V rispettivamente. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• Senza alogeni
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
• PWM ottimizzato
MOSFET di potenza TrenchFET da •
Applications
• Azionamenti per motori
• interruttori lato primario
Raddrizzatore sincrono da •
Certificazioni
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
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