MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 25 mΩ, 6.5 A 40 V, PowerPack, Superficie Miglioramento, 8 Pin SI7216DN-T1-E3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7922
Codice costruttore:
SI7216DN-T1-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

SI7216DN

Tipo di package

PowerPack

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

25mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-50°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

20.8W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.4mm

Altezza

1.12mm

Larghezza

3.4 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il Vishay SI7216DN è un MOSFET doppio a canale N con tensione drain-source (Vds) di 40V. La tensione gate-source (VGS) è 20V. Ha un contenitore PAK 1212-8 di potenza. Offre resistenza da drain a source (RDS.) 0,032ohm a 10VGS e 0,039 ohm a 4,5VGS. Massima corrente di drain 6A.

MOSFET di potenza Trench FET

Contenitore PAK a bassa resistenza termica con dimensioni ridotte e basso profilo di 1,07 mm

Testato al 100% Rg e UIS

Conforme alla direttiva RoHS 2002/95/CE

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