MOSFET Vishay Duale, canale Tipo P, 0.1 Ω, -4.5 A -30 V, PowerPack, Superficie Miglioramento, 6 Pin SIA931DJ-T1-GE3

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Codice RS:
180-7340
Codice costruttore:
SIA931DJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-4.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-30V

Tipo di package

PowerPack

Serie

SIA931DJ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.1Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Tensione diretta Vf

-1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.1nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Larghezza

2.15mm

Lunghezza

2.15mm

Altezza

800μm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il Vishay SIA931DJ è un MOSFET doppio a canale P con tensione drain-source (Vds) di -30V. La tensione gate-source (VGS) è 20V. È dotato di un contenitore Power PAK SC-70. Offre resistenza da drain a source (RDS.) 0,065ohm a 10VGS e 0,08ohm a 6VGS. Corrente di drain massima: 4,5 A.

MOSFET di potenza Trench FET Gen III

Contenitore PAK SC-70 di potenza termicamente avanzato con ingombro ridotto e bassa resistenza in stato attivo

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