- Codice RS:
- 180-7340
- Codice costruttore:
- SIA931DJ-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
3000 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Aggiunto
Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)
0,257 €
(IVA esclusa)
0,314 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per Bobina* |
3000 + | 0,257 € | 771,00 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 180-7340
- Codice costruttore:
- SIA931DJ-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
MOSFET Vishay
Il MOSFET PowerPAK-SC70 a canale P per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 30V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 65mohms a una tensione gate-source di 10V. È dotato di una dissipazione di potenza massima di 7,8 W e corrente di drain continua di 4,5 A. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
Bassa resistenza in stato attivo •
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
• Area di ingombro ridotta
• contenitore con potenziamento termico PowerPAK SC-70
MOSFET di potenza TrenchFET gen III da •
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
• Area di ingombro ridotta
• contenitore con potenziamento termico PowerPAK SC-70
MOSFET di potenza TrenchFET gen III da •
Applications
• convertitori c.c./c.c.
• interruttori di carico
• dispositivi portatili come gli smartphone
• Gestione dell'alimentazione
• Tablet PC e dispositivi mobili
• interruttori di carico
• dispositivi portatili come gli smartphone
• Gestione dell'alimentazione
• Tablet PC e dispositivi mobili
Certificazioni
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg testato
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg testato
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