MOSFET Vishay Duale, canale Tipo P, 0.1 Ω, -4.5 A -30 V, PowerPack, Superficie Miglioramento, 6 Pin SIA931DJ-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 20 unità*

8,84 €

(IVA esclusa)

10,78 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2360 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
20 - 1800,442 €8,84 €
200 - 4800,433 €8,66 €
500 - 9800,332 €6,64 €
1000 - 19800,265 €5,30 €
2000 +0,221 €4,42 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7884
Codice costruttore:
SIA931DJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-4.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-30V

Serie

SIA931DJ

Tipo di package

PowerPack

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.1Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.1nC

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Tensione diretta Vf

-1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.8mm

Larghezza

2.15 mm

Lunghezza

2.15mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il Vishay SIA931DJ è un MOSFET doppio a canale P con tensione drain-source (Vds) di -30V. La tensione gate-source (VGS) è 20V. È dotato di un contenitore Power PAK SC-70. Offre resistenza da drain a source (RDS.) 0,065ohm a 10VGS e 0,08ohm a 6VGS. Corrente di drain massima: 4,5 A.

MOSFET di potenza Trench FET Gen III

Contenitore PAK SC-70 di potenza termicamente avanzato con ingombro ridotto e bassa resistenza in stato attivo

Testato al 100% con Rg

Link consigliati