MOSFET Vishay Duale, canale N, 0.1 Ω, 4.1 A 150 V, PowerPack, Superficie Miglioramento, 8 Pin SI7956DP-T1-GE3

Codice RS:: 180-7886
Codice costruttore:: SI7956DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay Duale, canale N, 0.1 Ω, 4.1 A 150 V, PowerPack, Superficie Miglioramento, 8 Pin SI7956DP-T1-GE3

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Codice RS:: 180-7886
Codice costruttore:: SI7956DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	4.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	150V
	Serie	SI7956DP
	Tipo di package	PowerPack
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.1Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	17nC
	Minima temperatura operativa	-50°C
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	3.5W
	Configurazione transistor	Duale
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	6.25mm
	Larghezza	5.26mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.12mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 4.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V
	Serie SI7956DP
	Tipo di package PowerPack
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.1Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17nC
	Minima temperatura operativa -50°C
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 3.5W
	Configurazione transistor Duale
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 6.25mm
	Larghezza 5.26mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.12mm
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET serie SI7956DP di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 150 V, corrente di drenaggio continua massima di 4,1 A - SI7956DP-T1-GE3

Questo MOSFET è un transistor a doppio canale N in un contenitore PowerPack a montaggio superficiale progettato per attività di commutazione e controllo ad alta tensione. Funziona come un dispositivo in modalità di potenziamento progettato per l'uso nei casi in cui è richiesta una commutazione di potenza compatta montata su scheda. Il componente supporta correnti continue moderate ed è adatto per le applicazioni che richiedono resilienza in un'ampia gamma di temperature ambientali.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale drain-source 150 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• L'Rds(on) massimo di 0,1 Ω riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La corrente di drenaggio continua di 4,1 A supporta correnti di carico sostenute
• La carica di gate tipica di 17 nC fornisce energia di commutazione prevedibile
• La dissipazione di potenza massima di 3,5 W gestisce il carico termico nei circuiti
• L'intervallo di funzionamento da -50 °C a 150 °C mantiene le prestazioni in condizioni estreme

Applicazioni

• Adatto per le fasi a mezzo ponte del driver del motore su schede compatte
• Ideale per la commutazione di potenza ad alta tensione nel controllo industriale
• Utilizzato per le fasi di convertitore CC-CC che richiedono doppi transistor
• Può essere utilizzato per la commutazione low-side nei sistemi di gestione della batteria
• Utilizzato con driver gate in cui la carica del gate è moderata

Quale numero di pin e tipo di contenitore utilizza per il layout del circuito stampato?

Viene fornito in un contenitore PowerPack a 8 pin per montaggio superficiale adatto per layout di schede densi e conduzione termica attraverso il corpo del contenitore.

Come si comporta termicamente il dispositivo sotto carico?

Il dispositivo ha una dissipazione di potenza massima di 3,5 W e può funzionare fino a 150 °C, pertanto la gestione termica come l'area in rame o il dissipatore di calore deve essere dimensionata per mantenere le temperature di giunzione entro i limiti.

Quali limiti di tensione di gate devono essere osservati durante la progettazione dell'azionamento?

La tensione massima da gate a sorgente è di 20 V, pertanto i circuiti gate-drive devono rimanere entro questa soglia per evitare danni al dispositivo.

Esistono vincoli nella configurazione del transistor per la progettazione dei circuiti?

Il componente contiene due transistor a canale N in una configurazione doppia, consentendo disposizioni di commutazione complementari o funzionamento in parallelo a seconda dello schema.