MOSFET Vishay, canale Tipo N 45 V, 4.1 mΩ Miglioramento, 11 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SIJ150DP-T1-GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1425,00 €

(IVA esclusa)

1740,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 27 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,475 €1.425,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
200-6841
Codice costruttore:
SIJ150DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

45V

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.4mm

Altezza

3.4mm

Larghezza

0.98 mm

Standard automobilistico

No

Il Vishay SIJ150DP-T1-GE3 è un MOSFET 45V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Qg e Qoss molto bassi riducono la perdita di potenza e migliorano l'efficienza

I cavi flessibili forniscono una resilienza alle sollecitazioni meccaniche

Testato al 100% Rg e UIS

Il rapporto QGD/QGS< 1 ottimizza le caratteristiche di commutazione

Link consigliati

Recently viewed