MOSFET Vishay, canale N 45 V, 4.1 mΩ Miglioramento, 11 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SIJ150DP-T1-GE3

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Codice RS:
200-6843
Codice costruttore:
SIJ150DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

45V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

980μm

Lunghezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

Il Vishay SIJ150DP-T1-GE3 è un MOSFET 45V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Qg e Qoss molto bassi riducono la perdita di potenza e migliorano l'efficienza

I cavi flessibili forniscono una resilienza alle sollecitazioni meccaniche

Testato al 100% Rg e UIS

Il rapporto QGD/QGS< 1 ottimizza le caratteristiche di commutazione

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