MOSFET Vishay, canale Tipo N 45 V, 4.1 mΩ Miglioramento, 11 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SIJ150DP-T1-GE3

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Codice RS:
200-6843
Codice costruttore:
SIJ150DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

45V

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.4mm

Altezza

3.4mm

Larghezza

0.98mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il Vishay SIJ150DP-T1-GE3 è un MOSFET 45V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Qg e Qoss molto bassi riducono la perdita di potenza e migliorano l'efficienza

I cavi flessibili forniscono una resilienza alle sollecitazioni meccaniche

Testato al 100% Rg e UIS

Il rapporto QGD/QGS< 1 ottimizza le caratteristiche di commutazione

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