MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 0.1 Ω, 4.1 A 150 V, PowerPack, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Codice RS:: 180-7324
Codice costruttore:: SI7956DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 0.1 Ω, 4.1 A 150 V, PowerPack, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

4500,00 €

(IVA esclusa)

5490,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 19 novembre 2026

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	1,50 €	4.500,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 180-7324
Codice costruttore:: SI7956DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	4.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	150V
	Tipo di package	PowerPack
	Serie	SI7956DP
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.1Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Minima temperatura operativa	-50°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	17nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	3.5W
	Configurazione transistor	Duale
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.12mm
	Lunghezza	6.25mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 4.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V
	Tipo di package PowerPack
	Serie SI7956DP
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.1Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Minima temperatura operativa -50°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 3.5W
	Configurazione transistor Duale
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.12mm
	Lunghezza 6.25mm
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET serie SI7956DP di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 150 V, corrente di drenaggio continua 4,1 A - SI7956DP-T1-GE3

Questo MOSFET a doppio canale N è un dispositivo di commutazione a montaggio superficiale progettato per applicazioni di potenza ad alta tensione in sistemi industriali ed elettronici. Offre una conduzione controllata per le attività di commutazione del carico e conversione di potenza, funzionando in un'ampia gamma ambientale e progettato per l'integrazione a livello di scheda in cui sono richieste soluzioni compatte a doppio transistor.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tolleranza di drenaggio 150 V consente funzionalità di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 4,1 A supporta correnti di carico moderate • Rds(on) di 0,1 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione per una maggiore efficienza • La carica di gate tipica di 17 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile • La dissipazione di potenza di 3,5 W gestisce il carico termico negli assemblaggi compatti

Applicazioni

• Adatto per le fasi di convertitore c. c. - c. c. nelle apparecchiature di automazione • Ideale per i circuiti a mezzo ponte del driver del motore nei pannelli di controllo • Utilizzato per alimentatori a commutazione nell'elettronica industriale • Può essere utilizzato per gli interruttori di distribuzione dell'alimentazione su circuiti stampati compatti

Quali sono le tensioni di gate e di drenaggio consentite per un funzionamento sicuro?

Il gate può essere azionato fino a 20 V e il dispositivo resiste a tensioni di drenaggio-fonte fino a 150 V.

Quali estremi termici può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?

È progettato per l'uso continuo da -50 °C fino a una temperatura d'esercizio massima di 150 °C.

Quanti pin e quale tipo di contenitore è necessario per il layout del circuito stampato?

Il componente viene fornito come dispositivo a montaggio superficiale PowerPack a 8 pin adatto per schemi di terra standard.

In che modo la configurazione doppia influisce sull'implementazione del circuito?

Due transistor sono forniti in un unico contenitore, consentendo una disposizione compatta degli interruttori accoppiati e un routing della scheda semplificato.