MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 5.5 mΩ, -60 A -30 V, PowerPack, Superficie Miglioramento, 8 Pin SI7997DP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7902
Codice costruttore:
SI7997DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-30V

Tipo di package

PowerPack

Serie

SI7997DP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Dissipazione di potenza massima Pd

29W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.12mm

Lunghezza

6.25mm

Larghezza

5.26 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET Vishay è un contenitore PowerPAK-SO-8 a canale P di nuova generazione con una tensione drain-source di 30V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di una resistenza drain-source di 5,5 Mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 46W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• componente senza alogeni e piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

• PWM ottimizzato

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications


• interruttori adattatori

• Gestione della batteria

• interruttori di carico

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