Codice costruttore

MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 5.5 mΩ, -60 A -30 V, PowerPack, Superficie Miglioramento, 8 Pin SI7997DP-T1-GE3

Codice RS:: 180-7902
Codice costruttore:: SI7997DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 5.5 mΩ, -60 A -30 V, PowerPack, Superficie Miglioramento, 8 Pin SI7997DP-T1-GE3

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Codice RS:: 180-7902
Codice costruttore:: SI7997DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	-60A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	-30V
	Tipo di package	PowerPack
	Serie	SI7997DP
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	5.5mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	29W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	51nC
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Configurazione transistor	Duale
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	6.25mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.12mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id -60A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds -30V
	Tipo di package PowerPack
	Serie SI7997DP
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.5mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 29W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 51nC
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Configurazione transistor Duale
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 6.25mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.12mm
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET Vishay è un contenitore PowerPAK-SO-8 a canale P di nuova generazione con una tensione drain-source di 30V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di una resistenza drain-source di 5,5 Mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 46W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• componente senza alogeni e piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

• PWM ottimizzato

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications

• interruttori adattatori

• Gestione della batteria

• interruttori di carico

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