2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 21.5 mΩ, 4.5 A 20 V, SC-70, Superficie Miglioramento, 8 Pin SIA938DJT-T1-GE3
- Codice RS:
- 228-2835
- Codice costruttore:
- SIA938DJT-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 228-2835
- Codice costruttore:
- SIA938DJT-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo di package | SC-70 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 21.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 7.8W | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo di package SC-70 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 21.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 7.8W | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET serie TrenchFET Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 20 V, corrente di drenaggio continua massima 4,5 A - SIA938DJT-T1-GE3
Questo MOSFET è un transistor a doppio canale N compatto a montaggio superficiale progettato per le attività di commutazione e gestione dell'alimentazione nei sistemi elettronici. Funziona a bassi livelli di tensione ed è adatto per assemblaggi compatti in cui lo spazio sulla scheda è limitato. Il dispositivo accoglie correnti continue moderate e supporta il funzionamento in un'ampia gamma di temperature per ambienti elettronici industriali e commerciali.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di drenaggio 20 V consente la commutazione del sistema a bassa tensione
• La corrente di drenaggio continua di 4,5 A supporta correnti di carico moderate
• Il basso valore di Rds(on) di 21,5 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La carica tipica del gate di 3,5 nC riduce al minimo l'energia di commutazione
• La protezione massima gate-source a 12 V semplifica l'azionamento del gate
• La dissipazione di potenza di 7,8 W consente lo spazio termico in layout compatti
• La corrente di drenaggio continua di 4,5 A supporta correnti di carico moderate
• Il basso valore di Rds(on) di 21,5 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La carica tipica del gate di 3,5 nC riduce al minimo l'energia di commutazione
• La protezione massima gate-source a 12 V semplifica l'azionamento del gate
• La dissipazione di potenza di 7,8 W consente lo spazio termico in layout compatti
Applicazioni
• Adatto per azionamenti e controller di motori alimentati a batteria
• Ideale per convertitori c. c. - c. c. in sistemi integrati
• Utilizzato per la commutazione del carico nei moduli di controllo dell'automazione
• Può essere utilizzato per la distribuzione dell'alimentazione nell'elettronica portatile
• Ideale per convertitori c. c. - c. c. in sistemi integrati
• Utilizzato per la commutazione del carico nei moduli di controllo dell'automazione
• Può essere utilizzato per la distribuzione dell'alimentazione nell'elettronica portatile
Quale intervallo termico può tollerare durante il funzionamento?
È classificato per funzionare tra -55 °C e 150 °C, supportando il funzionamento a freddo e ad alta temperatura.
Come è confezionato il dispositivo per l'assemblaggio su circuito stampato?
Viene fornito in un contenitore compatto a montaggio superficiale SC-70 con un conteggio di otto pin per il posizionamento di due elementi.
Questo transistor può essere utilizzato in configurazioni di chip multi-transistor?
Sì, contiene due elementi transistorici su una matrice singola configurata come transistor doppio, semplificando il layout per la commutazione accoppiata.
Quali considerazioni sull'azionamento del gate si applicano per un funzionamento robusto?
La tensione massima consentita da gate a sorgente è di 12 V
i progetti devono limitare la tensione di azionamento di conseguenza per evitare di superare questo valore nominale.
Quanta potenza può dissipare il dispositivo in modo sicuro su un circuito stampato?
La dissipazione di potenza massima è specificata in 7,8 W, che deve essere gestita tramite il design termico del circuito stampato e l'area in rame appropriata.
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