MOSFET Vishay, canale N, 0,396 O, 500 mA, SC-89-6, Montaggio superficiale

Il MOSFET a canale N doppio per montaggio superficiale Vishay è dotato di una tensione drain-source di 20V. Ha una resistenza drain-source di 396mohm a una tensione gate-source di 4,5 V. Ha una potenza nominale massima di 220mW. Il MOSFET ha una corrente di drain continua di 610mA. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

• Fonte gate con protezione ESD: 1000V
• Senza alogeni
• senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •

• dispositivi alimentati a batteria
• driver: Relè, solenoidi, lampade, martelli, display, memorie
• commutazione di carico/potenza per dispositivi portatili
• circuiti del convertitore di alimentazione

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg testato