MOSFET Vishay, canale P, 244 mΩ, 760 mA, SC-89-6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 812-3050
Codice costruttore:: SI1077X-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 244 mΩ, 760 mA, SC-89-6, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 812-3050
Codice costruttore:: SI1077X-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si1071X, P-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	760 mA
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SC-89-6
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	244 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.7V
Dissipazione di potenza massima	236 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.2mm
Carica gate tipica @ Vgs	4,43 nC a 4,5 V
Lunghezza	1.7mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	0.6mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale P, 244 mΩ, 760 mA, SC-89-6, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor

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